BL9N50-A دیتاشیت

BL9N50-A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BL9N50-A
حجم فایل 78.302 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت BL9N50-A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: BL(Shanghai Belling) BL9N50-A
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 48W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1330pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3.5pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.6Ω@10V,4.5A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: BL(Shanghai Belling)

محصولات مشابه